NDT456P, Power MOSFET, P Channel, 30 V, 7.3 A, 0.026 ohm, SOT-223, Surface Mount
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8676749494
- Артикул
- NDT456P
- Бренд
- ON Semiconductor***
- Width
- 3.7mm
- Pin Count
- 3
- Вес, г
- 0.27
- Channel Mode
- Enhancement
Цена по запросу
(от 320 ₽)
Минимальный заказ: 5 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Линейка P-канальныx МОП-транзисторов ON Semiconductors производится с использованием запатентованной компанией ON Semi теxнологии DMOS с высокой плотностью ячеек.
Технические параметры
| Width | 3.7mm |
| Pin Count | 3 |
| Вес, г | 0.27 |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | P |
| Package Type | SOT-223 |
| Корпус | SOT-223 |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Структура | P-Channel |
| Transistor Material | Si |
| Особенности | - |
| Transistor Configuration | Single |
| Maximum Power Dissipation | 3 W |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 47 nC @ 10 V |
| Maximum Gate Source Voltage | -20 V, +20 V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Maximum Drain Source Voltage | 30 V |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Minimum Operating Temperature | -65 °C |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 1V |
| Maximum Drain Source Resistance | 54 mΩ |
| Maximum Continuous Drain Current | 7.5 A |
| Пороговое напряжение на затворе | 2.5V@250uA |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 30 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 7.3 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 4.2 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±10В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.026 Ом |