NDT452AP, Транзистор: P-MOSFET; -30В; -5А; 3Вт; SOT223
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8021968002
- Артикул
- NDT452AP
- Бренд
- ON Semiconductor***
- Case
- SOT223
- RoHS
- Details
- Type
- MOSFET
- Brand
- ON Semiconductor/Fairchild
Цена по запросу
(от 158 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Облачные решения для управления питанием Облачные решения onsemi для управления питанием повышают эффективность, упрощая проектирование системы, сокращая пространство на плате, повышая надежность и ускоряя вывод на рынок. Поскольку к 2030 году мировой спрос на энергию возрастет на 35-40%, onsemi обеспечивает высокую эффективность основныx промышленныx продуктов для экономии энергии, которую мы используем каждый день.
Технические параметры
| Case | SOT223 |
| RoHS | Details |
| Type | MOSFET |
| Brand | ON Semiconductor/Fairchild |
| Type: | MOSFET |
| Width | 3.5 mm |
| Brand: | onsemi/Fairchild |
| Height | 1.8 mm |
| Length | 6.5 mm |
| Series | NDT452AP |
| Series: | NDT452AP |
| Mounting | SMD |
| Fall Time | 19 ns |
| Packaging | Reel |
| Pin Count | 3 |
| Rise Time | 20 ns |
| Fall Time: | 19 ns |
| Rise Time: | 20 ns |
| Technology | Si |
| Вес, г | 0.17 |
| Technology: | Si |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | P Channel |
| Manufacturer | ON Semiconductor |
| Package Type | SOT-223 |
| Polarisation | unipolar |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Корпус | SOT223 |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Configuration | Single Dual Drain |
| Drain current | -5A |
| Manufacturer: | onsemi |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style | SMD/SMT |
| Package / Case | SOT-223-4 |
| Part # Aliases | NDT452AP_NL |
| Kind of channel | enhanced |
| Kind of package | reel, tape |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Package / Case: | SOT-223-4 |
| Part # Aliases: | NDT452AP_NL |
| Transistor Type | 1 P-Channel |
| Product Category | MOSFET |
| Power Dissipation | 3Вт |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 30 nC |
| Number of Channels | 1 Channel |
| Type of transistor | P-MOSFET |
| Структура | MOSFET |
| Gate-source voltage | ±20V |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| On-state resistance | 0.13Ω |
| Transistor Material | Si |
| Transistor Polarity | P-Channel |
| Drain-source voltage | -30V |
| Transistor Polarity: | P-Channel |
| Factory Pack Quantity | 4000 |
| Pd - Power Dissipation | 3 W |
| Power Dissipation (Pd) | 3W |
| Особенности | - |
| Pd - Power Dissipation: | 3 W |
| Transistor Configuration | Single |
| Maximum Power Dissipation | 3 W |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 22 nC @ 10 V |
| Vgs - Gate-Source Voltage | 20 V |
| Total Gate Charge (Qg@Vgs) | 30nC@10V |
| Typical Turn-On Delay Time | 9 ns |
| Maximum Gate Source Voltage | -20 V, +20 V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Typical Turn-Off Delay Time | 40 ns |
| Typical Turn-On Delay Time: | 9 ns |
| Input Capacitance (Ciss@Vds) | 690pF@15V |
| Maximum Drain Source Voltage | 30 V |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 40 ns |
| Continuous Drain Current (Id) | 5A |
| Id - Continuous Drain Current | -5 A |
| Maximum Operating Temperature | +150 C |
| Minimum Operating Temperature | -65 C |
| Forward Transconductance - Min | 7 S |
| Id - Continuous Drain Current: | 5 A |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 1V |
| Minimum Operating Temperature: | -65 C |
| Forward Transconductance - Min: | 7 S |
| Maximum Drain Source Resistance | 65 mΩ |
| Drain Source On State Resistance | 0.065Ом |
| Maximum Continuous Drain Current | 5 A |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 65 mOhms |
| Количество Выводов | 4вывод(-ов) |
| Монтаж транзистора | Surface Mount |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | -30 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 2.8 V |
| Непрерывный Ток Стока | 5А |
| Рассеиваемая Мощность | 3Вт |
| Полярность Транзистора | P Канал |
| Пороговое Напряжение Vgs | 1.6В |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 4000 |
| Напряжение Измерения Rds(on) | 10В |
| Напряжение Истока-стока Vds | 30В |
| Стиль Корпуса Транзистора | SOT-223 |
| Пороговое напряжение на затворе | 2.8V@250uA |
| Максимальная Рабочая Температура | 150 C |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 30 |
| Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) | MSL 1-Безлимитный |
| Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 0.065Ом |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 452 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 3 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 65mΩ@10V, 5A |