N-Channel MOSFET, 7.2 A, 30 V, 3-Pin SOT-223 NDT451AN
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8016033919
- Артикул
- NDT451AN
- Бренд
- ON Semiconductor***
- Type:
- MOSFET
- Width
- 3.7mm
- Brand:
- onsemi/Fairchild
- Series:
- NDT451AN
Цена по запросу
(от 245,76 ₽)
Минимальный заказ: 5 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Полевые транзисторы (FET) в режиме усиления производятся с использованием запатентованной компанией Fairchild теxнологии DMOS с высокой плотностью ячеек.
Технические параметры
| Type: | MOSFET |
| Width | 3.7mm |
| Brand: | onsemi/Fairchild |
| Series: | NDT451AN |
| Pin Count | 3 |
| Fall Time: | 10 ns |
| Rise Time: | 13 ns |
| Вес, г | 1 |
| Technology: | Si |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Package Type | SOT-223 |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Корпус | SOT-223 |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | onsemi |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Package / Case: | SOT-223-4 |
| Part # Aliases: | NDT451AN_NL |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 30 nC |
| Структура | N-Channel |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Material | Si |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Особенности | - |
| Pd - Power Dissipation: | 3 W |
| Transistor Configuration | Single |
| Maximum Power Dissipation | 3 W |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 19 nC @ 10 V |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Maximum Gate Source Voltage | -20 V, +20 V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Typical Turn-On Delay Time: | 12 ns |
| Maximum Drain Source Voltage | 30 V |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 29 ns |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Minimum Operating Temperature | -65 °C |
| Id - Continuous Drain Current: | 7.2 A |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 1V |
| Minimum Operating Temperature: | -65 C |
| Forward Transconductance - Min: | 11 S |
| Maximum Drain Source Resistance | 90 mΩ |
| Maximum Continuous Drain Current | 7.2 A |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 30 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 30 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 1 V |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 4000 |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 30 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 7.2 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 3 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±12В |