Моя заявка (0)
NDT014L, N-LogL 60V 2,8A 3,0W 0,2R SOT223

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8017563393
Артикул
NDT014L
Бренд
ON Semiconductor***
RoHS
Details
Type
N Channel
Brand
ON Semiconductor/Fairchild
Type:
MOSFET
Цена по запросу
(от 126,66 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

60 В 2,8 А 160 Мом при 10 В, 3,4 А 3 Вт 3 В при 250uA N-канальные МОП-транзисторы SOT-223-4 ROHS

Технические параметры

RoHSDetails
TypeN Channel
BrandON Semiconductor/Fairchild
Type:MOSFET
Width3.5 mm
Brand:onsemi/Fairchild
Height1.8 mm
Length6.5 mm
SeriesNDT014L
Series:NDT014L
Fall Time10 ns
PackagingReel
Rise Time14 ns
Fall Time:10 ns
Rise Time:14 ns
TechnologySi
Вес, г0.21
Technology:Si
Channel ModeEnhancement
ManufacturerON Semiconductor
Subcategory:MOSFETs
КорпусSOT223
Channel Mode:Enhancement
ConfigurationSingle Dual Drain
Manufacturer:onsemi
Product Type:MOSFET
REACH - SVHC:Details
Configuration:Single
Mounting StyleSMD/SMT
Package / CaseSOT-223-4
Part # AliasesNDT014L_NL
Mounting Style:SMD/SMT
Package / Case:SOT-223-4
Part # Aliases:NDT014L_NL
Transistor Type1 N-Channel
Product CategoryMOSFET
Transistor Type:1 N-Channel
Product Category:MOSFET
Qg - Gate Charge:5 nC
Number of Channels1 Channel
Number of Channels:1 Channel
Transistor PolarityN-Channel
Transistor Polarity:N-Channel
Factory Pack Quantity4000
Operating Temperature-65℃~+150℃@(Tj)
Pd - Power Dissipation3 W
Power Dissipation (Pd)3W
Особенности-
Pd - Power Dissipation:3 W
Vgs - Gate-Source Voltage20 V
Total Gate Charge (Qg@Vgs)5nC@4.5V
Typical Turn-On Delay Time6 ns
Vgs - Gate-Source Voltage:-20 V, +20 V
Typical Turn-Off Delay Time15 ns
Typical Turn-On Delay Time:6 ns
Input Capacitance (Ciss@Vds)214pF@30V
Typical Turn-Off Delay Time:15 ns
Continuous Drain Current (Id)2.8A
Id - Continuous Drain Current2.8 A
Maximum Operating Temperature+150 C
Minimum Operating Temperature-65 C
Forward Transconductance - Min4.2 S
Id - Continuous Drain Current:2.8 A
Maximum Operating Temperature:+150 C
Minimum Operating Temperature:-65 C
Forward Transconductance - Min:4.2 S
Rds On - Drain-Source Resistance170 mOhms
Rds On - Drain-Source Resistance:170 mOhms
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage60 V
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:60 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:1 V
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity:4000
Пороговое напряжение на затворе3V@250uA
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В60
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А2.8
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт3
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)160mΩ@10V, 3.4A

Техническая документация