NDT014L, MOSFETs N-Ch LL FET Enhancement Mode
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8004835890
- Артикул
- NDT014L
- Бренд
- ON Semiconductor***
- RoHS
- Details
- Type
- MOSFET
- Brand
- ON Semiconductor/Fairchild
- Type:
- MOSFET
Цена по запросу
(от 131,22 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Облачные решения для управления питанием Облачные решения onsemi для управления питанием повышают эффективность, упрощая проектирование системы, сокращая пространство на плате, повышая надежность и ускоряя вывод на рынок. Поскольку к 2030 году мировой спрос на энергию возрастет на 35-40%, onsemi обеспечивает высокую эффективность основныx промышленныx продуктов для экономии ежедневно потребляемой энергии.
Технические параметры
| RoHS | Details |
| Type | MOSFET |
| Brand | ON Semiconductor/Fairchild |
| Type: | MOSFET |
| Width | 3.5 mm |
| Brand: | onsemi/Fairchild |
| Height | 1.8 mm |
| Length | 6.5 mm |
| Series | NDT014L |
| Series: | NDT014L |
| Fall Time | 10 ns |
| Packaging | Reel |
| Rise Time | 14 ns |
| Fall Time: | 10 ns |
| Rise Time: | 14 ns |
| Technology | Si |
| Вес, г | 64 |
| Technology: | Si |
| Channel Mode | Enhancement |
| Manufacturer | ON Semiconductor |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Configuration | Single Dual Drain |
| Manufacturer: | onsemi |
| Product Type: | MOSFET |
| REACH - SVHC: | Details |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style | SMD/SMT |
| Package / Case | SOT-223-4 |
| Part # Aliases | NDT014L_NL |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Package / Case: | SOT-223-4 |
| Part # Aliases: | NDT014L_NL |
| Transistor Type | 1 N-Channel |
| Product Category | MOSFET |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 5 nC |
| Number of Channels | 1 Channel |
| Структура | N-Channel |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity | N-Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Factory Pack Quantity | 4000 |
| Operating Temperature | -65℃~+150℃@(Tj) |
| Pd - Power Dissipation | 3 W |
| Power Dissipation (Pd) | 3W |
| Особенности | Enhancement Mode |
| Pd - Power Dissipation: | 3 W |
| Vgs - Gate-Source Voltage | 20 V |
| Total Gate Charge (Qg@Vgs) | 5nC@4.5V |
| Typical Turn-On Delay Time | 6 ns |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Typical Turn-Off Delay Time | 15 ns |
| Typical Turn-On Delay Time: | 6 ns |
| Input Capacitance (Ciss@Vds) | 214pF@30V |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 15 ns |
| Continuous Drain Current (Id) | 2.8A |
| Id - Continuous Drain Current | 2.8 A |
| Maximum Operating Temperature | +150 C |
| Minimum Operating Temperature | -65 C |
| Forward Transconductance - Min | 4.2 S |
| Id - Continuous Drain Current: | 2.8 A |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -65 C |
| Forward Transconductance - Min: | 4.2 S |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 170 mOhms |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 170 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 60 V |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 60 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 1 V |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 4000 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 3 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |