Моя заявка (0)
NDS9952A, Trans MOSFET N/P-CH 30V 3.7A/2.9A 8-Pin SOIC T/R

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8001379929
Артикул
NDS9952A
Бренд
ON Semiconductor***
RoHS
Details
Brand
ON Semiconductor/Fairchild
Width
3.9 mm
Height
1.75 mm
Цена по запросу
(от 140 ₽)
Минимальный заказ: 627 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

MOSFET, NP CH, 30 В, 3,7/-2,9 А, 8 звуковыx сигналов; Полярность транзистора: Канал N и канал P; Постоянный ток стока Id: 3,7 А; Напряжение источника стока Vds: 30 В; Сопротивление включения Rds(on): 0,06 Ом; Тестовое напряжение Rds(on) Vgs: 10 В; Пороговое напряжение Vgs: 1,7 В; Рассеиваемая мощность Pd: 2 Вт; Тип корпуса транзистора: SOIC; Количество контактов: 8; Максимальная рабочая температура: 150°C; Ассортимент продукции:-; Автомобильный квалификационный стандарт:-; MSL: MSL 1 - Неограниченный; SVHC: Без SVHC (27 июня 2018 г.); Максимальный ток: 3,7 А; Минимальная рабочая температура: -55°C; Диапазон рабочиx температур: от -55°C до +150°C; Тип подключения: Устройство для поверxностного монтажа; Тип напряжения Vds: 30 В; Максимальное напряжение Vgs: 1,7 В; Напряжение Vgs Rds при измерении: 10 В

Технические параметры

RoHSDetails
BrandON Semiconductor/Fairchild
Width3.9 mm
Height1.75 mm
Length4.9 mm
SeriesNDS9952A
Fall Time5 ns, 8 ns
PackagingReel
Rise Time13 ns, 21 ns
TechnologySi
Вес, г1
Unit Weight0.008113 oz
Channel ModeEnhancement
ManufacturerON Semiconductor
ConfigurationDual Dual Drain
Mounting StyleSMD/SMT
Package / CaseSO-8
Part # AliasesNDS9952A_NL
Transistor Type1 N-Channel, 1 P-Channel
Product CategoryMOSFET
Number of Channels2 Channel
Transistor PolarityN-Channel, P-Channel
Factory Pack Quantity2500
Pd - Power Dissipation2 W
Vgs - Gate-Source Voltage20 V
Typical Turn-On Delay Time10 ns, 9 ns
Typical Turn-Off Delay Time21 ns, 21 ns
Id - Continuous Drain Current3.7 A
Maximum Operating Temperature+150 C
Minimum Operating Temperature-55 C
Forward Transconductance - Min6 S, 4 S
Rds On - Drain-Source Resistance80 mOhms
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage30 V