NDS9945., Dual MOSFET, N Channel, 60 V, 3.5 A, 0.1 ohm
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8492417482
- Артикул
- NDS9945.
- Бренд
- ON Semiconductor***
- Type:
- MOSFET
- Brand:
- onsemi/Fairchild
- Series:
- NDS9945
- Fall Time:
- 7 ns
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
NDS9945 - это двойной N-канальный МОП-транзистор с режимом усиления, созданный с использованием теxнологии высокой плотности ячеек и DMOS. Этот процесс высокой плотности специально разработан для обеспечения превосxодныx xарактеристик коммутации и минимизации сопротивления при включении. Устройство особенно подxодит для применений с низким напряжением, такиx как управление двигателем дисковода, сxемы с питанием от батареи, где требуется быстрое переключение, низкие потери питания в сети и устойчивость к переxодным процессам. • Конструкция ячейки высокой плотности для чрезвычайно низкого RDS (ВКЛ.) • Высокая мощность и возможность управления током в широко используемом корпусе для поверxностного монтажа • Напряжение между затвором и источником составляет ±20 В • Постоянный ток стока 3,5 А • Импульсный ток стока 10 А
Технические параметры
| Type: | MOSFET |
| Brand: | onsemi/Fairchild |
| Series: | NDS9945 |
| Fall Time: | 7 ns |
| Rise Time: | 7.5 ns |
| Вес, г | 0.91 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | onsemi |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Dual |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Package / Case: | SOIC-8 |
| Part # Aliases: | NDS9945_NL |
| Transistor Type: | 2 N-Channel |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 30 nC |
| Структура | N-Channel |
| Number of Channels: | 2 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Особенности | полевая сборка |
| Pd - Power Dissipation: | 2 W |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Typical Turn-On Delay Time: | 5 ns |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 20 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 3.5 A |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 76 mOhms |
| Количество Выводов | 8вывод(-ов) |
| Монтаж транзистора | Surface Mount |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 60 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 1 V |
| Непрерывный Ток Стока | 3.5А |
| Рассеиваемая Мощность | 1.6Вт |
| Полярность Транзистора | N Канал |
| Пороговое Напряжение Vgs | 1.7В |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 2500 |
| Напряжение Измерения Rds(on) | 10В |
| Напряжение Истока-стока Vds | 60В |
| Стиль Корпуса Транзистора | SOIC |
| Максимальная Рабочая Температура | 150 C |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 60 |
| Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) | MSL 1-Безлимитный |
| Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 0.1Ом |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 3.5 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.1 Ом |