Моя заявка (0)

NDS9407, Транзистор P-MOSFET, полевой, -60В, -3А, 2,5Вт, SO8, PowerTrench®

NDS9407, Транзистор P-MOSFET, полевой, -60В, -3А, 2,5Вт, SO8, PowerTrench®

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8051515905
Артикул
NDS9407
Бренд
ON Semiconductor***
Type:
MOSFET
Brand:
onsemi/Fairchild
Family
Transistors-FETs, MOSFETs-Single
Series
PowerTrench®
Цена по запросу
(от 90,54 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

P-КАНАЛЬНЫЙ MOSFET, -60 В, -3 А, SOIC; Полярность транзистора: P-канал; Постоянный ток стока Id: 3 А; Напряжение источника стока Vds: -60 В; Сопротивление включения Rds (вкл.): 0,15 Ом; Тестовое напряжение Rds (вкл.) Vgs: -10 В; Пороговое напряжение Vgs: -1,6 В;

Технические параметры

Type:MOSFET
Brand:onsemi/Fairchild
FamilyTransistors-FETs, MOSFETs-Single
SeriesPowerTrench®
Series:NDS9407
FET TypeMOSFET P-Channel, Metal Oxide
PackagingDigi-Reel®
Fall Time:10 ns
Rise Time:11 ns
Tradename:PowerTrench
Вес, г0.13
FET FeatureStandard
Part StatusActive
Power - Max1W
Technology:Si
ManufacturerFairchild Semiconductor
Subcategory:MOSFETs
Channel Mode:Enhancement
Manufacturer:onsemi
Mounting TypeSurface Mount
Product Type:MOSFET
Configuration:Single
Package / Case8-SOIC(0.154", 3.90mm Width)
Mounting Style:SMD/SMT
Package / Case:SOIC-8
Part # Aliases:NDS9407_NL
Standard Package1
Transistor Type:1 P-Channel
Product Category:MOSFET
Qg - Gate Charge:22 nC
Vgs(th) (Max) @ Id3V @ 250µA
Number of Channels:1 Channel
Transistor Polarity:P-Channel
Operating Temperature-55°C ~ 175°C(TJ)
Gate Charge (Qg) @ Vgs22nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs150 mOhm @ 3A, 10V
Pd - Power Dissipation:2.5 W
Supplier Device Package8-SO
Vgs - Gate-Source Voltage:-20 V, +20 V
Typical Turn-On Delay Time:8 ns
Typical Turn-Off Delay Time:10 ns
Drain to Source Voltage (Vdss)60V
Id - Continuous Drain Current:3 A
Input Capacitance (Ciss) @ Vds732pF @ 30V
Maximum Operating Temperature:+175 C
Minimum Operating Temperature:-55 C
Rds On - Drain-Source Resistance:78 mOhms
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:60 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C3A(Ta)
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:3 V
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity:2500

Техническая документация