Моя заявка (0)

NDS7002A,Power MOSFET, N Channel, 60 V, 280 mA, 2 ohm, SOT-23, Surface Mount

NDS7002A,Power MOSFET, N Channel, 60 V, 280 mA, 2 ohm, SOT-23, Surface Mount

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8040429583
Артикул
NDS7002A
Бренд
ON Semiconductor***
Type
Small Signal
Width
1.3mm
Mounting
Surface Mount
Polarity
N
Цена по запросу
(от 16 ₽)
Минимальный заказ: 3000 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Полевые транзисторы (FET) в режиме усиления производятся с использованием запатентованной компанией Fairchild теxнологии DMOS с высокой плотностью ячеек.

Технические параметры

TypeSmall Signal
Width1.3mm
MountingSurface Mount
PolarityN
PackagingTape and Reel
Pin Count3
Вес, г0.05
Channel ModeEnhancement
Channel TypeN
Package TypeSOT-23
Rad HardenedNo
КорпусSOT-23
Mounting TypeSurface Mount
Power Dissipation0.3(W)
Number of Elements1
СтруктураN-Channel
Transistor MaterialSi
Drain-Source On-Volt60(V)
Operating Temp Range-65C to 150C
Особенности-
Continuous Drain Current0.28(A)
Transistor ConfigurationSingle
Gate-Source Voltage (Max)'±20(V)
Maximum Power Dissipation300 mW
Maximum Gate Source Voltage-20 V, +20 V
Number of Elements per Chip1
Maximum Drain Source Voltage60 V
Maximum Operating Temperature+150 °C
Minimum Operating Temperature-65 °C
Minimum Gate Threshold Voltage1V
Maximum Drain Source Resistance2 Ω
Maximum Continuous Drain Current280 mA
Operating Temperature ClassificationMilitary
Пороговое напряжение на затворе1…2.5 В
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В60
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А0.28
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)2 Ом

Техническая документация