NDS7002A, Транзистор: N-MOSFET, полевой, 60В, 0,28А, Idm: 1,5А, 0,3Вт, SOT23
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8017541226
- Артикул
- NDS7002A
- Бренд
- ON Semiconductor***
- Type
- Small Signal
- Width
- 1.3mm
- Mounting
- Surface Mount
- Polarity
- N
Цена по запросу
(от 7,58 ₽)
Минимальный заказ: 10 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Полевые транзисторы (FET) в режиме усиления производятся с использованием запатентованной компанией Fairchild теxнологии DMOS с высокой плотностью ячеек.
Технические параметры
| Type | Small Signal |
| Width | 1.3mm |
| Mounting | Surface Mount |
| Polarity | N |
| Packaging | Tape and Reel |
| Pin Count | 3 |
| Вес, г | 0.05 |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Package Type | SOT-23 |
| Rad Hardened | No |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Power Dissipation | 0.3(W) |
| Number of Elements | 1 |
| Transistor Material | Si |
| Drain-Source On-Volt | 60(V) |
| Operating Temp Range | -65C to 150C |
| Continuous Drain Current | 0.28(A) |
| Transistor Configuration | Single |
| Gate-Source Voltage (Max) | '±20(V) |
| Maximum Power Dissipation | 300 mW |
| Maximum Gate Source Voltage | -20 V, +20 V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Maximum Drain Source Voltage | 60 V |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Minimum Operating Temperature | -65 °C |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 1V |
| Maximum Drain Source Resistance | 2 Ω |
| Maximum Continuous Drain Current | 280 mA |
| Operating Temperature Classification | Military |