Транзистор полевой NDS355AN
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8022143871
- Артикул
- NDS355AN
- Бренд
- ON Semiconductor***
- RoHS
- Details
- Type
- MOSFET
- Brand
- ON Semiconductor/Fairchild
- Width
- 1.4 mm
Цена по запросу
(от 35 ₽)
Минимальный заказ: 10 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Описание Транзистор N-МОП, полевой, 30В 1,7A 0,5Вт 0,085Ом SOT23 Характеристики Категория Транзистор Тип полевой Вид MOSFET
Технические параметры
| RoHS | Details |
| Type | MOSFET |
| Brand | ON Semiconductor/Fairchild |
| Width | 1.4 mm |
| Height | 1.12 mm |
| Length | 2.9 mm |
| Series | NDS355AN |
| Product | MOSFET Small Signal |
| Fall Time | 32 ns |
| Packaging | Reel |
| Pin Count | 3 |
| Rise Time | 32 ns |
| Technology | Si |
| Вес, г | 0.05 |
| Unit Weight | 0.001058 oz |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N Channel |
| Manufacturer | ON Semiconductor |
| Package Type | SOT-23 |
| Configuration | Single |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Mounting Style | SMD/SMT |
| Package / Case | SSOT-3 |
| Part # Aliases | NDS355AN_NL |
| Transistor Type | 1 N-Channel |
| Product Category | MOSFET |
| Power Dissipation | 500мВт |
| Number of Channels | 1 Channel |
| Transistor Material | Si |
| Transistor Polarity | N-Channel |
| Factory Pack Quantity | 3000 |
| Pd - Power Dissipation | 500 mW(1/2 W) |
| Особенности | - |
| Transistor Configuration | Single |
| Maximum Power Dissipation | 500 mW |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 3.5 nC @ 5 V |
| Vgs - Gate-Source Voltage | 20 V |
| Typical Turn-On Delay Time | 10 ns |
| Maximum Gate Source Voltage | -20 V, +20 V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Typical Turn-Off Delay Time | 13 ns |
| Maximum Drain Source Voltage | 30 V |
| Id - Continuous Drain Current | 1.7 A |
| Maximum Operating Temperature | +150 C |
| Minimum Operating Temperature | -55 C |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 1V |
| Maximum Drain Source Resistance | 230 mΩ |
| Drain Source On State Resistance | 0.065Ом |
| Maximum Continuous Drain Current | 1.7 A |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 85 mOhms |
| Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
| Монтаж транзистора | Surface Mount |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 30 V |
| Непрерывный Ток Стока | 1.7А |
| Рассеиваемая Мощность | 500мВт |
| Полярность Транзистора | N Канал |
| Пороговое Напряжение Vgs | 1.6В |
| Напряжение Измерения Rds(on) | 4.5В |
| Крутизна характеристики, S | 3.5 |
| Напряжение Истока-стока Vds | 30В |
| Стиль Корпуса Транзистора | SuperSOT |
| Максимальная Рабочая Температура | 150 C |
| Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) | MSL 1-Безлимитный |
| Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 0.065Ом |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 355 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 0.5 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.065 Ом |