NDS352AP, Транзистор P-MOSFET, полевой, -30В, -0,9А, 500мВт, SuperSOT-3
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8017541224
- Артикул
- NDS352AP
- Бренд
- ON Semiconductor***
- RoHS
- Details
- Brand
- ON Semiconductor/Fairchild
- Width
- 1.4 mm
- Height
- 1.12 mm
Цена по запросу
(от 32,50 ₽)
Минимальный заказ: 5 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Линейка P-канальныx МОП-транзисторов ON Semiconductors производится с использованием запатентованной компанией ON Semi теxнологии DMOS с высокой плотностью ячеек.
Технические параметры
| RoHS | Details |
| Brand | ON Semiconductor/Fairchild |
| Width | 1.4 mm |
| Height | 1.12 mm |
| Length | 2.9 mm |
| Series | NDS352AP |
| Product | MOSFET Small Signal |
| Fall Time | 17 ns, 16 ns |
| Packaging | Reel |
| Pin Count | 3 |
| Rise Time | 17 ns, 16 ns |
| Technology | Si |
| Вес, г | 0.02 |
| Unit Weight | 0.001058 oz |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | P |
| Manufacturer | ON Semiconductor |
| Package Type | SOT-23 |
| Configuration | Single |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Mounting Style | SMD/SMT |
| Package / Case | SSOT-3 |
| Part # Aliases | NDS352AP_NL |
| Transistor Type | 1 P-Channel |
| Product Category | MOSFET |
| Number of Channels | 1 Channel |
| Структура | MOSFET |
| Transistor Material | Si |
| Transistor Polarity | P-Channel |
| Factory Pack Quantity | 3000 |
| Pd - Power Dissipation | 500 mW(1/2 W) |
| Особенности | - |
| Transistor Configuration | Single |
| Maximum Power Dissipation | 500 mW |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 2 nC @ 4.5 V |
| Vgs - Gate-Source Voltage | 20 V |
| Typical Turn-On Delay Time | 5 ns, 8 ns |
| Maximum Gate Source Voltage | -20 V, +20 V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Typical Turn-Off Delay Time | 35 ns |
| Maximum Drain Source Voltage | 30 V |
| Id - Continuous Drain Current | -900 mA |
| Maximum Operating Temperature | +150 C |
| Minimum Operating Temperature | -55 C |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 20V |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 0.8V |
| Maximum Drain Source Resistance | 300 mΩ |
| Maximum Continuous Drain Current | 900 mA |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 500 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | -30 V |
| Пороговое напряжение на затворе | 3V@250uA |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 352 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 0.5 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |