NDS352AP, SOT-23 MOSFETs
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8015861744
- Артикул
- NDS352AP
- Бренд
- TECH PUBLIC
- Brand
- ON Semiconductor/Fairchild
- Series
- NDS352AP
- Product
- MOSFET Small Signal
- Fall Time
- 17 ns, 16 ns
Цена по запросу
(от 11,91 ₽)
Минимальный заказ: 5 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Технические параметры
| Brand | ON Semiconductor/Fairchild |
| Series | NDS352AP |
| Product | MOSFET Small Signal |
| Fall Time | 17 ns, 16 ns |
| Packaging | Cut Tape or Reel |
| Rise Time | 17 ns, 16 ns |
| Technology | Si |
| Вес, г | 0.03 |
| Subcategory | MOSFETs |
| Channel Mode | Enhancement |
| Manufacturer | ON Semiconductor |
| Product Type | MOSFET |
| Корпус | SOT-23 |
| Configuration | Single |
| Mounting Style | SMD/SMT |
| Package / Case | SSOT-3 |
| Part # Aliases | NDS352AP_NL |
| Transistor Type | 1 P-Channel |
| Product Category | MOSFET |
| Number Of Channels | 1 Channel |
| Структура | MOSFET |
| Transistor Polarity | P-Channel |
| Factory Pack Quantity | 3000 |
| Pd - Power Dissipation | 500 mW(1/2 W) |
| Особенности | - |
| Vgs - Gate-Source Voltage | 20 V |
| Typical Turn-On Delay Time | 5 ns, 8 ns |
| Typical Turn-Off Delay Time | 35 ns |
| Id - Continuous Drain Current | 900 mA |
| Maximum Operating Temperature | +150 C |
| Minimum Operating Temperature | -55 C |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 500 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 30 V |
| Пороговое напряжение на затворе | 1…2.5 В |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 352 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |