Моя заявка (0)

NDS0610, Транзистор P-МОП, полевой, 60В 0,12A 0,36Вт 10Ом SOT23

NDS0610, Транзистор P-МОП, полевой, 60В 0,12A 0,36Вт 10Ом SOT23

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8017541223
Артикул
NDS0610
Бренд
ON Semiconductor***
Width
1.3mm
Brand:
onsemi/Fairchild
Series:
NDS0610
Product:
MOSFET Small Signal
Цена по запросу
(от 10,97 ₽)
Минимальный заказ: 5 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Описание Транзистор P-МОП, полевой, 60В 0,12A 0,36Вт 10Ом SOT23 Характеристики Категория Транзистор Тип полевой Вид MOSFET

Технические параметры

Width1.3mm
Brand:onsemi/Fairchild
Series:NDS0610
Product:MOSFET Small Signal
Pin Count3
Fall Time:6.3 ns
Rise Time:6.3 ns
Вес, г0.03
Technology:Si
Channel ModeEnhancement
Channel TypeP
Package TypeSOT-23
Subcategory:MOSFETs
Channel Mode:Enhancement
Manufacturer:onsemi
Mounting TypeSurface Mount
Product Type:MOSFET
Configuration:Single
Mounting Style:SMD/SMT
Package / Case:SOT-23-3
Part # Aliases:NDS0610_NL
Product Category:MOSFET
Qg - Gate Charge:2.5 nC
Number of Channels:1 Channel
Transistor MaterialSi
Transistor Polarity:P-Channel
Pd - Power Dissipation:360 mW
Transistor ConfigurationSingle
Maximum Power Dissipation360 mW
Typical Gate Charge @ Vgs1.8 nC @ 10 V
Maximum Gate Source Voltage-20 V, +20 V
Number of Elements per Chip1
Typical Turn-On Delay Time:2.5 ns
Maximum Drain Source Voltage60 V
Typical Turn-Off Delay Time:10 ns
Maximum Operating Temperature+150 °C
Minimum Operating Temperature-55 °C
Id - Continuous Drain Current:120 mA
Maximum Operating Temperature:+150 C
Minimum Gate Threshold Voltage1V
Minimum Operating Temperature:-55 C
Maximum Drain Source Resistance10 Ω
Maximum Continuous Drain Current120 mA
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:3.5 V
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity:3000

Техническая документация