NDS0605, Транзистор P-MOSFET, полевой, -60В, -0,18А, 0,36Вт, SOT23
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8031066581
- Артикул
- NDS0605
- Бренд
- ON Semiconductor***
- RoHS
- Details
- Type
- MOSFET
- Brand
- ON Semiconductor/Fairchild
- Width
- 1.3 mm
Цена по запросу
(от 11 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Линейка P-канальныx МОП-транзисторов ON Semiconductors производится с использованием запатентованной компанией ON Semi теxнологии DMOS с высокой плотностью ячеек.
Технические параметры
| RoHS | Details |
| Type | MOSFET |
| Brand | ON Semiconductor/Fairchild |
| Width | 1.3 mm |
| Height | 1.2 mm |
| Length | 2.9 mm |
| Series | NDS0605 |
| Product | MOSFET Small Signal |
| Fall Time | 6.3 ns |
| Packaging | Cut Tape |
| Pin Count | 3 |
| Rise Time | 6.3 ns |
| Technology | Si |
| Вес, г | 0.01 |
| Unit Weight | 0.000282 oz |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | P |
| Manufacturer | ON Semiconductor |
| Package Type | SOT-23 |
| Корпус | sot23 |
| Configuration | Single |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Mounting Style | SMD/SMT |
| Package / Case | SOT-23-3 |
| Part # Aliases | NDS0605_NL |
| Transistor Type | 1 P-Channel |
| Product Category | MOSFET |
| Number of Channels | 1 Channel |
| Структура | MOSFET |
| Transistor Material | Si |
| Transistor Polarity | P-Channel |
| Factory Pack Quantity | 3000 |
| Pd - Power Dissipation | 360 mW |
| Особенности | - |
| Transistor Configuration | Single |
| Maximum Power Dissipation | 360 mW |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 1.8 nC @ 10 V |
| Vgs - Gate-Source Voltage | 20 V |
| Typical Turn-On Delay Time | 2.5 ns |
| Maximum Gate Source Voltage | -20 V, +20 V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Typical Turn-Off Delay Time | 10 ns |
| Maximum Drain Source Voltage | 60 V |
| Id - Continuous Drain Current | -180 mA |
| Maximum Operating Temperature | +150 C |
| Minimum Operating Temperature | -55 C |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 1V |
| Maximum Drain Source Resistance | 5 Ω |
| Maximum Continuous Drain Current | 180 mA |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 5 Ohms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | -60 V |
| Пороговое напряжение на затворе | 1…2.5 В |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 0.36 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 0.18 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 0.36 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |