NDP6060L, MOSFETs N-Ch LL FET Enhancement Mode
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8004835885
- Артикул
- NDP6060L
- Бренд
- ON Semiconductor***
- Type:
- MOSFET
- Brand:
- onsemi/Fairchild
- Series:
- NDP6060L
- Fall Time:
- 161 ns
Цена по запросу
(от 365,77 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Описание Транзистор: N-MOSFET, полевой, 60В, 48А, 100Вт, TO220AB Характеристики Категория Транзистор Тип полевой Вид MOSFET
Технические параметры
| Type: | MOSFET |
| Brand: | onsemi/Fairchild |
| Series: | NDP6060L |
| Fall Time: | 161 ns |
| Packaging: | Tube |
| Rise Time: | 320 ns |
| Вес, г | 2.91 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | onsemi |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | Through Hole |
| Package / Case: | TO-220-3 |
| Part # Aliases: | NDP6060L_NL |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 60 nC |
| Структура | N-Channel |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Особенности | Enhancement Mode |
| Pd - Power Dissipation: | 100 W |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -16 V, +16 V |
| Typical Turn-On Delay Time: | 15 ns |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 49 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 48 A |
| Maximum Operating Temperature: | +175 C |
| Minimum Operating Temperature: | -65 C |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 25 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 60 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 1 V |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 50 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |