NDP6060, MOSFETs N-Channel FET Enhancement Mode
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8004835884
- Артикул
- NDP6060
- Бренд
- ON Semiconductor***
- Type
- 1PCSNChannel
- Тип
- MOSFET
- Длина
- 10.67 mm
- Серия
- NDP6060
Цена по запросу
(от 423 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
МОП-транзистор N-Channel FET Enhancement Mode
Технические параметры
| Type | 1PCSNChannel |
| Тип | MOSFET |
| Длина | 10.67 mm |
| Серия | NDP6060 |
| Вес, кг | 6.79 |
| Высота | 16.3 mm |
| Ширина | 4.7 mm |
| Упаковка | Tube |
| Структура | N-Channel |
| Технология | Si |
| Вид монтажа | Through Hole |
| Время спада | 77 ns |
| Power Dissipation (Pd) | 100W |
| Особенности | Enhancement Mode |
| Тип продукта | MOSFET |
| Конфигурация | Single |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Total Gate Charge (Qg@Vgs) | 70nC@10V |
| Торговая марка | ON Semiconductor / Fairchild |
| Упаковка / блок | TO-220-3 |
| Input Capacitance (Ciss@Vds) | 1.8nF@25V |
| Continuous Drain Current (Id) | 48A |
| Канальный режим | Enhancement |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
| Время нарастания | 145 ns |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Pd - рассеивание мощности | 100 W |
| Другие названия товара № | NDP6060_NL |
| Id - непрерывный ток утечки | 48 A |
| Размер фабричной упаковки | 800 |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 20 V |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 25 mOhms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 60 V |
| Минимальная рабочая температура | 65 C |
| Максимальная рабочая температура | + 175 C |
| Типичное время задержки выключения | 28 ns |
| Типичное время задержки при включении | 10 ns |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 100 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |