Моя заявка (0)

NDD60N900U1T4G, Trans MOSFET N-CH 600V 5.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

NDD60N900U1T4G, Trans MOSFET N-CH 600V 5.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8002220352
Артикул
NDD60N900U1T4G
Бренд
ON Semiconductor***
Вес, г
1
Структура
N-Channel
Особенности
высоковольтный
Пороговое напряжение на затворе
4V@250uA
Цена по запросу
(от 191 ₽)
Минимальный заказ: 399 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Технические параметры

Вес, г1
СтруктураN-Channel
Особенностивысоковольтный
Пороговое напряжение на затворе4V@250uA
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В600
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А5.7
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В

Техническая документация