NDC7002N, Транзистор МОП n-канальный двойной 50В 0,51A 0,96 SOT6
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8017541222
- Артикул
- NDC7002N
- Бренд
- ON Semiconductor***
- Width
- 1.7mm
- Brand:
- onsemi/Fairchild
- Series:
- NDC7002N
- Product:
- MOSFET Small Signal
Цена по запросу
(от 34,11 ₽)
Минимальный заказ: 5 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Описание Транзистор МОП n-канальный двойной 50В 0,51A 0,96 SOT6 Характеристики Категория Транзистор Тип полевой Вид MOSFET
Технические параметры
| Width | 1.7mm |
| Brand: | onsemi/Fairchild |
| Series: | NDC7002N |
| Product: | MOSFET Small Signal |
| Pin Count | 6 |
| Fall Time: | 6 ns |
| Rise Time: | 6 ns |
| Вес, г | 0.01 |
| Technology: | Si |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Package Type | SOT-23 |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | onsemi |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package/Case: | SSOT-6 |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Dual |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Part # Aliases: | NDC7002N_NL |
| Transistor Type: | 2 N-Channel |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 1 nC |
| Структура | N-Channel |
| Number of Channels: | 2 Channel |
| Transistor Material | Si |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Особенности | - |
| Pd - Power Dissipation: | 960 mW |
| Transistor Configuration | Isolated |
| Maximum Power Dissipation | 960 mW |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 1 nC @ 10 V |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Maximum Gate Source Voltage | -20 V, +20 V |
| Number of Elements per Chip | 2 |
| Typical Turn-On Delay Time: | 6 ns |
| Maximum Drain Source Voltage | 50 V |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 11 ns |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Id - Continuous Drain Current: | 510 mA |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 1V |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Maximum Drain Source Resistance | 4 Ω |
| Maximum Continuous Drain Current | 510 mA |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 2 Ohms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 50 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 1 V |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 3000 |
| Крутизна характеристики, S | 0.4 |
| Пороговое напряжение на затворе | 1…2.5 В |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 50 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 0.51 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |