NDC7001C, Транзистор N/P-MOSFET, полевой, 60/-60В, 0,51/0,34А, 0,96Вт
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8054268495
- Артикул
- NDC7001C
- Бренд
- ON Semiconductor***
- Case
- SuperSOT-6
- RoHS
- Details
- Brand
- ON Semiconductor/Fairchild
- Width
- 1.6 mm
Цена по запросу
(от 70 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Облачные решения для управления питанием Облачные решения onsemi для управления питанием повышают эффективность, упрощая проектирование системы, сокращая пространство на плате, повышая надежность и ускоряя вывод на рынок. Поскольку к 2030 году мировой спрос на энергию возрастет на 35-40%, onsemi обеспечивает высокую эффективность основныx промышленныx продуктов для экономии энергии, которую мы используем каждый день.
Технические параметры
| Case | SuperSOT-6 |
| RoHS | Details |
| Brand | ON Semiconductor/Fairchild |
| Width | 1.6 mm |
| Brand: | onsemi/Fairchild |
| Height | 1.1 mm |
| Length | 2.9 mm |
| Series | NDC7001C |
| Product | MOSFET Small Signal |
| Series: | NDC7001C |
| Mounting | SMD |
| Product: | MOSFET Small Signals |
| Fall Time | 8 ns, 10 ns |
| Packaging | Reel |
| Pin Count | 6 |
| Rise Time | 8 ns, 10 ns |
| Fall Time: | 8 ns, 10 ns |
| Rise Time: | 8 ns, 10 ns |
| Technology | Si |
| Вес, г | 0.04 |
| Gate charge | 1.5/2.2nC |
| Technology: | Si |
| Unit Weight | 0.00127 oz |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N, P |
| Manufacturer | ON Semiconductor |
| Package Type | SOT-23 |
| Polarisation | unipolar |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Configuration | 1 N-Channel, 1 P-Channel |
| Drain current | 0.51/0.34A |
| Manufacturer: | onsemi |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package/Case: | SSOT-6 |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Dual |
| Mounting Style | SMD/SMT |
| Package / Case | SSOT-6 |
| Part # Aliases | NDC7001C_NL |
| Kind of channel | enhanced |
| Kind of package | reel, tape |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Part # Aliases: | NDC7001C_NL |
| Transistor Type | 1 N-Channel, 1 P-Channel |
| Product Category | MOSFET |
| Transistor Type: | 1 N-Channel, 1 P-Channel |
| Power dissipation | 0.96W |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 1.5 nC, 2.2 nC |
| Kind of transistor | complementary pair |
| Number of Channels | 2 Channel |
| Type of transistor | N/P-MOSFET |
| Структура | MOSFET |
| Gate-source voltage | ±20V |
| Number of Channels: | 2 Channel |
| On-state resistance | 4/10Ω |
| Transistor Material | Si |
| Transistor Polarity | N-Channel, P-Channel |
| Drain-source voltage | 60/-60V |
| Transistor Polarity: | N-Channel, P-Channel |
| Factory Pack Quantity | 3000 |
| Pd - Power Dissipation | 960 mW |
| Особенности | комплементарная пара транзисторов |
| Pd - Power Dissipation: | 960 mW |
| Transistor Configuration | Isolated |
| Maximum Power Dissipation | 960 mW |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 1.1 nC @ 10 V, 1.6 nC @ 10 V |
| Vgs - Gate-Source Voltage | 20 V |
| Typical Turn-On Delay Time | 2.8 ns, 3.2 ns |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Maximum Gate Source Voltage | -20 V, +20 V |
| Number of Elements per Chip | 2 |
| Typical Turn-Off Delay Time | 14 ns, 8 ns |
| Typical Turn-On Delay Time: | 2.8 ns, 3.2 ns |
| Maximum Drain Source Voltage | 60 V |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 14 ns, 8 ns |
| Id - Continuous Drain Current | 510 mA |
| Maximum Operating Temperature | +150 C |
| Minimum Operating Temperature | -55 C |
| Id - Continuous Drain Current: | 510 mA, 340 mA |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 1V |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Maximum Drain Source Resistance | 4 Ω, 10 Ω |
| Maximum Continuous Drain Current | 340 mA, 510 mA |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 1 Ohms |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 1 Ohms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 60 V |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 60 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 1 V, 3.5 V |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 3000 |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 0.96 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 0.34 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 0.96 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |