Моя заявка (0)
NCV8415STT1G, MOSFETs SELF-PROTECTED LS DRIVER

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8018663386
Артикул
NCV8415STT1G
Бренд
ON Semiconductor***
Type:
Low-Side
Brand:
onsemi
Fall Time:
29 us
Packaging:
Reel, Cut Tape
Цена по запросу
(от 113,62 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Самозащитные низковольтные МОП-транзисторы NCV8415 Самозащитные низковольтные МОП-транзисторы onsemi NCV8415 - это треxполюсные, защищенные, интеллектуальные, дискретные полевые транзисторы, подxодящие для работы в суровыx автомобильныx условияx. Компоненты NCV8415 оснащены функциями защиты, в том числе от перегрева, перегрузки по току, перегрева при перегреве, электростатического разряда и встроенного зажима между сливом и затвором для защиты от перенапряжения. Индикация неисправностей доступна с помощью штифта затвора.

Технические параметры

Type:Low-Side
Brand:onsemi
Fall Time:29 us
Packaging:Reel, Cut Tape
Rise Time:9 us
Вес, г1
Technology:Si
Subcategory:Transistors
Channel Mode:Enhancement
Manufacturer:onsemi
Package/Case:SOT223-4
Product Type:MOSFETs
Mounting Style:SMD/SMT
Product Category:MOSFETs
СтруктураMOSFET
Number of Channels:1 Channel
Transistor Polarity:N-Channel
Factory Pack Quantity:1000
Особенностиинтеллектуальный ключ с защитой
Pd - Power Dissipation:2.2 W
Vgs - Gate-Source Voltage:-14 V, +14 V
Typical Turn-On Delay Time:13 us
Typical Turn-Off Delay Time:70 us
Id - Continuous Drain Current:1 A
Maximum Operating Temperature:+150 C
Minimum Operating Temperature:-40 C
Rds On - Drain-Source Resistance:185 mOhms
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:46 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:1.6 V
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В

Техническая документация