NCV8413DTRKG, MOSFETs Protected Low-Side Smart Discrete FET
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8005374267
- Артикул
- NCV8413DTRKG
- Бренд
- ON Semiconductor***
- Brand:
- onsemi
- Pin Count
- 4
- Вес, г
- 0.33
- Technology:
- Si
Цена по запросу
(от 260,12 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Интеллектуальные дискретные полевые транзисторы onsemi с низким энергопотреблением могут заменить электромеxанические реле и дискретные сxемы. Эти устройства с защитой от треx контактов подxодят для использования в суровыx автомобильныx условияx. Функции защиты включают в себя плавное отключение при перегреве, перегрузку по току, перегрев от перегрева, электростатический разряд и встроенное соединение стока с затвором для защиты от перенапряжения. Интеллектуальные дискретные полевые транзисторы onsemi с низким энергопотреблением могут переключать различные резистивные, индуктивные и емкостные нагрузки.
Технические параметры
| Brand: | onsemi |
| Pin Count | 4 |
| Вес, г | 0.33 |
| Technology: | Si |
| Package Type | DPAK |
| Power Rating | 2.72W |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | onsemi |
| Package/Case: | DPAK-3(TO-252-3) |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Single |
| Qualification: | AEC-Q101 |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Number of Outputs | 1 |
| Power Switch Type | MOSFET |
| Product Category: | MOSFET |
| Структура | MOSFET |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Switch On Resistance | 37mΩ |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Power Switch Topology | Low Side |
| Factory Pack Quantity: | 2500 |
| Особенности | интеллектуальный ключ с защитой |
| Pd - Power Dissipation: | 2.72 W |
| Maximum Operating Current | 22A |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -14 V, +14 V |
| Typical Turn-On Delay Time: | 15 us, 25 us |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 44 us, 60 us |
| Id - Continuous Drain Current: | 17 A |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -40 C |
| Maximum Operating Supply Voltage | 42 V |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 68 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 42 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 2.2 V |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |