NCV8402ASTT3G, IC: power switch; low-side; 2A; Ch: 2; N-Channel; SMD; SO8; reel,tape
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8022144553
- Артикул
- NCV8402ASTT3G
- Бренд
- ON Semiconductor***
- Brand:
- onsemi
- Вес, г
- 0.17
- Technology:
- Si
- Subcategory:
- MOSFETs
Цена по запросу
(от 107 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
42V 165mOhm 2A 1 SOT-223 Распределительные выключатели питания ROHS
Технические параметры
| Brand: | onsemi |
| Вес, г | 0.17 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Input Voltage | 42V |
| Manufacturer: | onsemi |
| Package/Case: | SOT-223-3 |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Single |
| Output Current | 2A |
| Qualification: | AEC-Q101 |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Number of Outputs | 1 |
| Product Category: | MOSFET |
| Resistor On-State | 165mΩ |
| Структура | N-Channel |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Factory Pack Quantity: | 4000 |
| Operating Temperature- | -40℃~+150℃ |
| Особенности | интеллектуальный ключ с защитой |
| Pd - Power Dissipation: | 1.1 W |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -14 V, +14 V |
| Id - Continuous Drain Current: | 2 A |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -40 C |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 165 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 55 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 1.3 V |
| Пороговое напряжение на затворе | 3V@250uA |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 2 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |