NCV1413BDR2G, IC: driver; darlington,transistor array; SO16; 0.5A; 50V; Ch: 7
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8041297342
- Артикул
- NCV1413BDR2G
- Бренд
- ON Semiconductor***
- Case
- SO16
- Mounting
- SMD
- Вес, г
- 0.64
- Длина
- 10 mm
Цена по запросу
(от 64,88 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Транзисторы Дарлингтона High Voltage High Current Darlington
Технические параметры
| Case | SO16 |
| Mounting | SMD |
| Вес, г | 0.64 |
| Длина | 10 mm |
| Серия | NCV1413 |
| Application | automotive industry, for inductive load |
| Manufacturer | ONSEMI |
| Высота | 1.5 mm |
| Ширина | 4 mm |
| Input voltage | 30V |
| Output current | 0.5A |
| Output voltage | 50V |
| Kind of package | reel, tape |
| Number of channels | 7 |
| Operating temperature | -40…125°C |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Тип продукта | Darlington Transistors |
| Квалификация | AEC-Q101 |
| Конфигурация | Array 7 |
| Подкатегория | Transistors |
| Kind of integrated circuit | darlington, transistor array |
| Type of integrated circuit | driver |
| DC Current Gain hFE Min NPN | 1000hFE |
| Торговая марка | ON Semiconductor |
| Упаковка / блок | SOIC-16 |
| DC Ток Коллектора | 500мА |
| Continuous Collector Current NPN | 500мА |
| DC Усиление Тока hFE | 1000hFE |
| Collector Emitter Voltage Max NPN | 50В |
| Категория продукта | Транзисторы Дарлингтона |
| Количество Выводов | 16вывод(-ов) |
| Монтаж транзистора | Surface Mount |
| Полярность транзистора | NPN |
| Размер фабричной упаковки | 2500 |
| Стиль Корпуса Транзистора | SOIC |
| Напряжение Коллектор-Эмиттер | 50В |
| Минимальная рабочая температура | 40 C |
| Максимальная рабочая температура | + 125 C |
| Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) | 0.5 |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 50 V |
| Максимальный постоянный ток коллектора | 0.5 A |
| Стандарты Автомобильной Промышленности | AEC-Q101 |
| Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) | MSL 1-Безлимитный |
| Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 1000 |