NCP81258MNTBG, IC: driver; buck; high-side,low-side,gate driver; DFN8
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8017551250
- Артикул
- NCP81258MNTBG
- Бренд
- ON Semiconductor***
- Fall Time
- 11ns
- Gate Type
- N-Channel MOSFET
- Load Type
- MOSFET
- Rise Time
- 16ns
Цена по запросу
(от 85 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Полумостовые 2 МОП-транзистора 16ns 11ns 4,5 В ~ 13,2 В DFN-8-EP(2x2) Микросxемы управления затвором ROHS
Технические параметры
| Fall Time | 11ns |
| Gate Type | N-Channel MOSFET |
| Load Type | MOSFET |
| Rise Time | 16ns |
| Input Type | Non-Inverting |
| Вес, г | 0.02 |
| Channel Type | Synchronous |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | 8-VFDFN Exposed Pad |
| Supply Voltage | 4.5V~13.2V |
| Voltage - Supply | 4.5V ~ 13.2V |
| Number of Drivers | 2 |
| DigiKey Programmable | Not Verified |
| Driven Configuration | Half Bridge |
| Operating Temperature | -40℃~+150℃@(Tj) |
| Rise / Fall Time (Typ) | 16ns, 11ns |
| Особенности | интеллектуальный ключ с защитой |
| Supplier Device Package | 8-DFN(2x2) |
| Logic Voltage - VIL, VIH | 0.7V, 3.4V |
| Peak Output Current(sink) | - |
| High Side Voltage - Max (Bootstrap) | 35 V |
| Пороговое напряжение на затворе | 3.6V@250uA |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 14.5mΩ@10V, 10A |