NCEP40T11G, 40V 110A 2.8m-@10V,55A 75W 2.2V@250uA N Channel DFN-8(5.7x5.1) MOSFETs
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8015866909
- Артикул
- NCEP40T11G
- Бренд
- Wuxi NCE Power Semiconductor
- Type
- N Channel
- Вес, г
- 5
- Структура
- N-Channel
- Transistor Polarity
- N Channel
Цена по запросу
(от 58,32 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
40 В 110 А 2.8mOhm@10V,5575 Вт 2.2V@250uA N-канальные МОП-транзисторы DFN-8(5.7x5.1), соответствующие требованиям ROHS
Технические параметры
| Type | N Channel |
| Вес, г | 5 |
| Структура | N-Channel |
| Transistor Polarity | N Channel |
| Power Dissipation (Pd) | 75W |
| Особенности | - |
| Vgs - Gate-Source Voltage | 2.2V 250uA |
| Continuous Drain Current (Id) | 110A |
| Power Dissipation-Max (Ta=25°C) | 75W(Tc) |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 2.8mΩ 55A, 10V |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 40V |
| Continuous Drain Current (Id) @ 25°C | 110A(Tc) |
| Пороговое напряжение на затворе | 2.2V@250uA |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 40 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 110 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 75 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 2.8mΩ@10V, 55A |