NCE65T900F, МОП-Транзистор 650 В 5 А 750 м-при 10 В, 2,5 А 29 Вт 4 В при 250мкА 0,5 пФ при 50 В N-канал 370 пФ при 50 В 10,5 нК при 10 В -55
нет фото
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8015861114
- Артикул
- NCE65T900F
- Бренд
- Wuxi NCE Power Semiconductor
- Type
- 1PCSNChannel
- Вес, г
- 2.44
- Структура
- N-Channel
- Operating Temperature
- -55℃~+150℃@(Tj)
Цена по запросу
(от 133 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
650 В 5A 750 Мом при 10 В, 2,5 А 29 Вт 4 В при 250uA 1 шт. одноканальныx МОП-транзисторов TO-220F-3 ROHS
Технические параметры
| Type | 1PCSNChannel |
| Вес, г | 2.44 |
| Структура | N-Channel |
| Operating Temperature | -55℃~+150℃@(Tj) |
| Power Dissipation (Pd) | 29W |
| Особенности | - |
| Total Gate Charge (Qg@Vgs) | 10.5nC@10V |
| Input Capacitance (Ciss@Vds) | 370pF@50V |
| Continuous Drain Current (Id) | 5A |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds) | 0.5pF@50V |
| Пороговое напряжение на затворе | 4V@250uA |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 650 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 5 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 29 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 750mΩ@10V, 2.5A |