NCE65T680K, 650V 7A 60W 680m-@10V,3.5A 4V@250uA N Channel TO-252-2(DPAK) MOSFETs ROHS
нет фото
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8015851697
- Артикул
- NCE65T680K
- Бренд
- Wuxi NCE Power Semiconductor
- Type
- N Channel
- Packaging
- Tape & Reel(TR)
- Вес, г
- 0.38
- Manufacturer
- Wuxi NCE Power Semiconductor
Цена по запросу
(от 90,79 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Технические параметры
| Type | N Channel |
| Packaging | Tape & Reel(TR) |
| Вес, г | 0.38 |
| Manufacturer | Wuxi NCE Power Semiconductor |
| Корпус | TO-252 |
| Package / Case | TO-252-2(DPAK) |
| Структура | N-Channel |
| Transistor Polarity | N Channel |
| Power Dissipation (Pd) | 60W |
| Особенности | высоковольтный |
| Vgs - Gate-Source Voltage | 4V @ 250uA |
| Continuous Drain Current (Id) | 7A |
| Power Dissipation-Max (Ta=25°C) | 60W(Tc) |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 680mΩ @ 3.5A, 10V |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 650V |
| Continuous Drain Current (Id) @ 25°C | 7A(Tc) |
| Пороговое напряжение на затворе | 4V@250uA |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 650 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 7 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 60 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 680mΩ@10V, 3.5A |