Моя заявка (0)
нет фото

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8017583855
Артикул
NCE65T260
Бренд
Wuxi NCE Power Semiconductor
Type
1PCSNChannel
Вес, г
2.73
Корпус
TO-220
Структура
MOSFET
Цена по запросу
(от 214,78 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

TO-220 МОП-транзисторов ROHS

Технические параметры

Type1PCSNChannel
Вес, г2.73
КорпусTO-220
СтруктураMOSFET
Power Dissipation (Pd)33.2W
Особенности-
Drain Source Voltage (Vdss)650V
Continuous Drain Current (Id)15A
Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id)4V@250uA
Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id)260mΩ@10V, 8A
Пороговое напряжение на затворе4V@250uA
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В650
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт304
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)260mΩ@10V, 8A