Моя заявка (0)

NCE60P12K, MOSFET транзистор, 60В, 12А, TO-252-2, 60Вт

NCE60P12K, MOSFET транзистор, 60В, 12А, TO-252-2, 60Вт

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8034446110
Артикул
NCE60P12K
Бренд
Wuxi NCE Power Semiconductor
Вес, г
0.4
Корпус
TO-252
Структура
MOSFET
Transistor Polarity
P Channel
Цена по запросу
(от 21 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Технические параметры

Вес, г0.4
КорпусTO-252
СтруктураMOSFET
Transistor PolarityP Channel
Особенности-
Vgs - Gate-Source Voltage2.2V 250uA
Power Dissipation-Max (Ta=25°C)60W(Tc)
Rds On - Drain-Source Resistance100mΩ 12A, 10V
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage60V
Continuous Drain Current (Id) @ 25°C12A(Tc)
Пороговое напряжение на затворе5V@100uA
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В60
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А12
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт60
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В

Техническая документация