NCE6012AS, 60V 12A 11m-@10V,12A 3W 1.8V@250uA N Channel SOP-8 MOSFETs
нет фото
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8015911585
- Артикул
- NCE6012AS
- Бренд
- Wuxi NCE Power Semiconductor
- Type
- N Channel
- Вес, г
- 0.2
- Структура
- N-Channel
- Transistor Polarity
- N Channel
Цена по запросу
(от 38,84 ₽)
Минимальный заказ: 5 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Технические параметры
| Type | N Channel |
| Вес, г | 0.2 |
| Структура | N-Channel |
| Transistor Polarity | N Channel |
| Power Dissipation (Pd) | 3W |
| Особенности | - |
| Vgs - Gate-Source Voltage | 1.8V @ 250uA |
| Continuous Drain Current (Id) | 12A |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 11mО© @ 12A,10V |
| Power Dissipation-Max (Ta=25В°C) | 3W(Tc) |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 60V |
| Continuous Drain Current (Id) @ 25В°C | 12A(Tc) |
| Пороговое напряжение на затворе | 1.8V@250uA |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 60 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 12 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 3 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 11mΩ@10V, 12A |