NCE55P30K, 55V 30A 40m-@10V,15A 65W 4V@250uA P Channel TO-252-2(DPAK) MOSFETs
нет фото
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8015852845
- Артикул
- NCE55P30K
- Бренд
- Wuxi NCE Power Semiconductor
- Type
- P Channel
- Вес, г
- 0.55
- Корпус
- TO-252
- Структура
- P-Channel
Цена по запросу
(от 128,98 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
55 В 30 А 40 Мом при 10 В, 15 А 65 Вт 4 В при 250 мкА P-канальные МОП-транзисторы TO-252-2 (DPAK) ROHS
Технические параметры
| Type | P Channel |
| Вес, г | 0.55 |
| Корпус | TO-252 |
| Структура | P-Channel |
| Transistor Polarity | P Channel |
| Power Dissipation (Pd) | 65W |
| Особенности | - |
| Vgs - Gate-Source Voltage | 4V @ 250uA |
| Continuous Drain Current (Id) | 30A |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 40mО© @ 15A,10V |
| Power Dissipation-Max (Ta=25В°C) | 65W |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 55V |
| Continuous Drain Current (Id) @ 25В°C | 30A |
| Пороговое напряжение на затворе | 4V@250uA |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 55 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 30 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 65 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 40mΩ@10V, 15A |