Моя заявка (0)

NCE3407AY, МОП-Транзистор 30 В 4,3 А 1,5 Вт 52 м-@10 В, 4 А 3 В @ 250мкА P-канальные МОП-Транзистор SOT-22

NCE3407AY, МОП-Транзистор 30 В 4,3 А 1,5 Вт 52 м-@10 В, 4 А 3 В @ 250мкА P-канальные МОП-Транзистор SOT-22

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8015855344
Артикул
NCE3407AY
Бренд
Wuxi NCE Power Semiconductor
Type
P Channel
Вес, г
0.04
Структура
P-Channel
Transistor Polarity
P Channel
Цена по запросу
(от 9,72 ₽)
Минимальный заказ: 10 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

30 В 4,3 А 1,5 Вт 52 Мом при 10 В, 4 А 3 В при 250uA P-канальные МОП-транзисторы SOT-23-3L ROHS

Технические параметры

TypeP Channel
Вес, г0.04
СтруктураP-Channel
Transistor PolarityP Channel
Power Dissipation (Pd)1.5W
Особенности-
Vgs - Gate-Source Voltage3V @ 250uA
Drain Source Voltage (Vdss)30V
Continuous Drain Current (Id)4.3A
Rds On - Drain-Source Resistance52mО© @ 4A,10V
Power Dissipation-Max (Ta=25В°C)1.5W
Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id)3V@250uA
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage30V
Continuous Drain Current (Id) @ 25В°C4.3A
Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id)52mΩ@10V, 4A
Пороговое напряжение на затворе3V@250uA
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В30
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А4.3
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт1.5
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)52mΩ@10V, 4A

Техническая документация