Моя заявка (0)

NCE30P12S, 30V 12A 15m-@10V,10A 3W 3V@250uA P Channel SOIC-8 MOSFETs ROHS

нет фото

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8015937156
Артикул
NCE30P12S
Бренд
Wuxi NCE Power Semiconductor
Type
P Channel
Вес, г
0.2
Transistor Polarity
P Channel
Power Dissipation (Pd)
3W
Цена по запросу
(от 35,45 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

30В 12А 15 Мом при 10 В, 10А 3 Вт 3 В при 250uA P-канальные SOIC-8 МОП-транзисторов ROHS

Технические параметры

TypeP Channel
Вес, г0.2
Transistor PolarityP Channel
Power Dissipation (Pd)3W
Vgs - Gate-Source Voltage3V @ 250uA
Drain Source Voltage (Vdss)30V
Continuous Drain Current (Id)12A
Rds On - Drain-Source Resistance15mО© @ 10A,10V
Power Dissipation-Max (Ta=25В°C)3W
Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id)3V@250uA
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage30V
Continuous Drain Current (Id) @ 25В°C12A
Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id)15mΩ@10V, 10A

Техническая документация