Моя заявка (0)

NCE3035Q, МОП-Транзистор 30 В 35 А 35 Вт 7 м-@10 В, 12 А 3 В @ 250мкА N-канальные МОП-Транзистор DFN-8(3x3)

нет фото

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8015936791
Артикул
NCE3035Q
Бренд
Wuxi NCE Power Semiconductor
Type
N Channel
Вес, г
0.11
Структура
N-Channel
Transistor Polarity
N Channel
Цена по запросу
(от 37,38 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

30 В 35 А 35 Вт 7 моМ при 10 В, 12 А 3 В при 250uA N-канальные МОП-транзисторы DFN-8(3x3) ROHS

Технические параметры

TypeN Channel
Вес, г0.11
СтруктураN-Channel
Transistor PolarityN Channel
Power Dissipation (Pd)35W
Особенности-
Vgs - Gate-Source Voltage3V @ 250uA
Continuous Drain Current (Id)35A
Rds On - Drain-Source Resistance7mО© @ 12A,10V
Power Dissipation-Max (Ta=25В°C)35W(Tc)
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage30V
Continuous Drain Current (Id) @ 25В°C35A(Tc)
Пороговое напряжение на затворе3V@250uA
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В30
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А35
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт35
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)7mΩ@10V, 12A

Техническая документация