NCE01P03S, 100V 3A 170m-@10V,3A 2.5W 1.9V@250uA 170pF@25V P Channel 760pF@25V 25nC@10V -55-~+150-@(Tj) SOIC-8 MOSFETs
нет фото
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8015936466
- Артикул
- NCE01P03S
- Бренд
- Wuxi NCE Power Semiconductor
- Type
- P Channel
- Вес, г
- 0.08
- Корпус
- SOIC-8
- Структура
- P-Channel
Цена по запросу
(от 48,07 ₽)
Минимальный заказ: 5 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
100В 3А 170 Мом при 10 В, 3А 2,5 Вт 1.9V@250uA P-канальные SOIC-8 МОП-транзисторов ROHS
Технические параметры
| Type | P Channel |
| Вес, г | 0.08 |
| Корпус | SOIC-8 |
| Структура | P-Channel |
| Operating Temperature | -55℃~+150℃@(Tj) |
| Power Dissipation (Pd) | 2.5W |
| Особенности | - |
| Total Gate Charge (Qg@Vgs) | 25nC@10V |
| Input Capacitance (Ciss@Vds) | 760pF@25V |
| Continuous Drain Current (Id) | 3A |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds) | 170pF@25V |
| Пороговое напряжение на затворе | 1.9V@250uA |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 100 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 3 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 2.5 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 170mΩ@10V, 3A |