N0607N-ZK-E1-AY, MOSFETs P.TRANS. N-CH POWER MOSFET 60V TO-252
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8025422986
- Артикул
- N0607N-ZK-E1-AY
- Бренд
- Renesas Technology
- Brand:
- Renesas Electronics
- Fall Time:
- 9 ns
- Packaging:
- Reel, Cut Tape
- Rise Time:
- 13 ns
Цена по запросу
(от 238,08 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Технические параметры
| Brand: | Renesas Electronics |
| Fall Time: | 9 ns |
| Packaging: | Reel, Cut Tape |
| Rise Time: | 13 ns |
| Вес, г | 1 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | Transistors |
| Корпус | TO-252 |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | Renesas Electronics |
| Package/Case: | DPAK-3(TO-252-3) |
| Product Type: | MOSFETs |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Product Category: | MOSFETs |
| Qg - Gate Charge: | 58 nC |
| Структура | N-Channel |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Factory Pack Quantity: | 3000 |
| Особенности | - |
| Pd - Power Dissipation: | 1 W |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Typical Turn-On Delay Time: | 24 ns |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 57 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 65 A |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Forward Transconductance - Min: | 46 S |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 8.4 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 60 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 4 V |
| Пороговое напряжение на затворе | - |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 60 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |