N0400P-ZK-E1-AY, MOSFETs POWER TRS2
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8024468211
- Артикул
- N0400P-ZK-E1-AY
- Бренд
- Renesas Technology
- Brand:
- Renesas Electronics
- Fall Time:
- 93 ns
- Rise Time:
- 16 ns
- Вес, г
- 1
Цена по запросу
(от 169,08 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Технические параметры
| Brand: | Renesas Electronics |
| Fall Time: | 93 ns |
| Rise Time: | 16 ns |
| Вес, г | 1 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | Transistors |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | Renesas Electronics |
| Package/Case: | DPAK-3(TO-252-3) |
| Product Type: | MOSFETs |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Product Category: | MOSFETs |
| Qg - Gate Charge: | 16 nC |
| Структура | P-Channel |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | P-Channel |
| Factory Pack Quantity: | 2500 |
| Особенности | - |
| Pd - Power Dissipation: | 25 W |
| Typical Turn-On Delay Time: | 11 ns |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 104 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 15 A |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Forward Transconductance - Min: | 6 S |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 1.5 V |
| Пороговое напряжение на затворе | -12 V, +12 V |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 40 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 40 mOhms |