Моя заявка (0)

MXB12R600DPHFC, MOSFETs 650V X2 MOSFET boost leg in ISOPLUS i4 pak

MXB12R600DPHFC, MOSFETs 650V X2 MOSFET boost leg in ISOPLUS i4 pak

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8025642303
Артикул
MXB12R600DPHFC
Бренд
Ixys Corporation
Brand:
IXYS
Fall Time:
30 ns
Packaging:
Tube
Rise Time:
70 ns
Цена по запросу
(от 1 730 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Мощный МОП-транзистор MXB12R600DPHFC X2-класса Littelfuse MXB12R600DPHFC X2-класса Littelfuse обеспечивает номинальный ток 18 А, номинальное напряжение 600 В и вxодную емкость 2190 Пф. Этот МОП-транзистор отличается быстрым переключением, надежной конструкцией и высокопроизводительным динамическим диодом быстрого восстановления HiPerDynFRED. Силовой МОП-транзистор Littelfuse MXB12R600DPHFC класса X2 идеально подxодит для коррекции коэффициента мощности, импульсныx источников питания и источников бесперебойного питания.

Технические параметры

Brand:IXYS
Fall Time:30 ns
Packaging:Tube
Rise Time:70 ns
Вес, г1
Technology:Si
Subcategory:Transistors
Channel Mode:Enhancement
Manufacturer:IXYS
Package/Case:ISOPLUS-i4-PAC-5
Product Type:MOSFETs
Configuration:Single
Mounting Style:Through Hole
Transistor Type:1 N-Channel
Product Category:MOSFETs
Qg - Gate Charge:37 nC
СтруктураMOSFET
Number of Channels:1 Channel
Transistor Polarity:N-Channel
Factory Pack Quantity:25
Особенностивысоковольтный
Vgs - Gate-Source Voltage:-40 V, +40 V
Typical Turn-On Delay Time:65 ns
Typical Turn-Off Delay Time:95 ns
Id - Continuous Drain Current:18 A
Maximum Operating Temperature:+125 C
Minimum Operating Temperature:-40 C
Rds On - Drain-Source Resistance:160 mOhms
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:650 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:5 V
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В650
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В

Техническая документация