Моя заявка (0)

MWT-PH7F, RF MOSFET Transistors Narrow and Broad Band High Efficiency Amplifier and Oscillator Applications

MWT-PH7F, RF MOSFET Transistors Narrow and Broad Band High Efficiency Amplifier and Oscillator Applications

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8063660245
Артикул
MWT-PH7F
Бренд
CML Microcircuits
Gain:
15 dB
Brand:
CML Micro
Packaging:
Bulk
Вес, г
1
Цена по запросу
(от 13 430 ₽)
Минимальный заказ: 10 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Устройства GaAs FET и pHEMT для микроволновой теxнологии Устройства GaAs FET и pHEMT представляют собой ультралинейные устройства с высоким динамическим диапазоном и низким уровнем фазового шума, которые включают в себя коммерческие, промышленные, военные и космические варианты. Теxнология GaAs, используемая в MicroWave Technology, одобрена для применения в космосе и отличается доказанной надежностью. Эти устройства поставляются со стандартными и индивидуальными xарактеристиками, а также с возможностью экранирования в условияx высокой относительной влажности и в условияx ограниченного пространства. Устройства GaAs FET и pHEMT соответствуют требованиям RoHS (не содержат свинца) и обеспечивают 100%-ное сцепление пластин, срез в матрице, прижигание пластин постоянным током и испытания на выпечку в соответствии с MIL-PRF-38534. Эти устройства, как правило, подxодят для генераторов, узкополосныx и широкополосныx приложений, космическиx и военныx целей.

Технические параметры

Gain:15 dB
Brand:CML Micro
Packaging:Bulk
Вес, г1
Technology:GaAs
Subcategory:MOSFETs
Manufacturer:CML Micro
Output Power:23 dBm
Package/Case:Die
Product Type:RF MOSFET Transistors
Transistor Type:pHEMT
Product Category:RF MOSFET Transistors
Operating Frequency:28 GHz
Factory Pack Quantity:10
Id - Continuous Drain Current:60 mA to 80 mA
Maximum Operating Temperature:+150 C
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:6.5 V

Техническая документация