MW6S004NT1, Trans RF MOSFET N-CH 68V 4-Pin PLD-1.5 T/R
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8002255509
- Артикул
- MW6S004NT1
- Бренд
- NXP Semiconductor
- Gain:
- 18 dB
- Type:
- RF Power MOSFET
- Brand:
- NXP Semiconductors
- Series:
- MW6S004NT1
Цена по запросу
(от 3 530 ₽)
Минимальный заказ: 1000 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Технические параметры
| Gain: | 18 dB |
| Type: | RF Power MOSFET |
| Brand: | NXP Semiconductors |
| Series: | MW6S004NT1 |
| Вес, г | 0.5 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | NXP |
| Output Power: | 4 W |
| Product Type: | RF MOSFET Transistors |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Package / Case: | PLD-1.5-3 |
| Part # Aliases: | 935320257515 |
| Product Category: | RF MOSFET Transistors |
| Структура | N-Channel |
| Moisture Sensitive: | Yes |
| Operating Frequency: | 2 GHz |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Особенности | 520мгц 8вт |
| Id - Continuous Drain Current: | 50 mA |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -65 C |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 2 V |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 1000 |
| Пороговое напряжение на затворе | 12 V |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 68 V |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 2 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | - |