Моя заявка (0)

MUN5334DW1T1G, Транзистор цифровой 80 при 5 мА, 10 В 250 мВ при 10 мА, 1 мА 1 NPN, 1 PNP с предварительным смещением 250мВт 100 мА 50 В 500

MUN5334DW1T1G, Транзистор цифровой 80 при 5 мА, 10 В 250 мВ при 10 мА, 1 мА 1 NPN, 1 PNP с предварительным смещением 250мВт 100 мА 50 В 500

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8048863944
Артикул
MUN5334DW1T1G
Бренд
ON Semiconductor***
Вес, г
0.01
Длина
2 mm
Серия
MUN5334DW1
Высота
0.9 mm
Цена по запросу
(от 15 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения SS SC88 BR XSTR DUAL 50V

Технические параметры

Вес, г0.01
Длина2 mm
СерияMUN5334DW1
Высота0.9 mm
Ширина1.25 mm
Структураnpn
Вид монтажаSMD/SMT
Тип продуктаBJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased
КвалификацияAEC-Q101
КонфигурацияDual
ПодкатегорияTransistors
Торговая маркаON Semiconductor
Упаковка / блокSC-88-6
Категория продуктаБиполярные транзисторы - С предварительно заданным
Количество каналов2 Channel
Полярность транзистораNPN, PNP
Pd - рассеивание мощности187 mW
Размер фабричной упаковки3000
Напряжение эмиттер-база (VEBO)0.13 mA
Непрерывный коллекторный ток100 mA
Типичное входное сопротивление22 kOhms
Минимальная рабочая температура55 C
Максимальная рабочая температура+ 150 C
Пиковый постоянный ток коллектора100 mA
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.50 V
Типичный коэффициент деления резистора0.47
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс.80 at 5 mA at 10 V
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)80

Техническая документация