Моя заявка (0)

MUN5331DW1T1G, 8@5mA,10V 250mV@10mA,5mA 1 NPN,1 PNP - Pre-Biased 250mW 100mA 50V 500nA - Digital Transistors ROHS

MUN5331DW1T1G, 8@5mA,10V 250mV@10mA,5mA 1 NPN,1 PNP - Pre-Biased 250mW 100mA 50V 500nA - Digital Transistors ROHS

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8017646083
Артикул
MUN5331DW1T1G
Бренд
ON Semiconductor***
Вес, г
0.03
Длина
2 mm
Серия
MUN5331DW1
Высота
0.9 mm
Цена по запросу
(от 71 ₽)
Минимальный заказ: 5 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения 100mA Complementary 50V NPN & PNP

Технические параметры

Вес, г0.03
Длина2 mm
СерияMUN5331DW1
Высота0.9 mm
Ширина1.25 mm
Структураnpn
Вид монтажаSMD/SMT
Тип продуктаBJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased
КонфигурацияDual
ПодкатегорияTransistors
Торговая маркаON Semiconductor
Упаковка / блокSC-88-6
Категория продуктаБиполярные транзисторы - С предварительно заданным
Количество каналов2 Channel
Полярность транзистораNPN, PNP
Pd - рассеивание мощности187 mW
Размер фабричной упаковки3000
Непрерывный коллекторный ток0.1 A
Типичное входное сопротивление2.2 kOhms
Минимальная рабочая температура55 C
Максимальная рабочая температура+ 150 C
Пиковый постоянный ток коллектора100 mA
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.50 V
Типичный коэффициент деления резистора1
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс.8 at 5 mA at 10 V
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)8

Техническая документация