MUN5330DW1T1G, 3@5mA,10V 1 NPN, 1 PNP-Pre-BIased 250mW 100mA 50V SOT-363 DIgItal TransIstors ROHS
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8044373200
- Артикул
- MUN5330DW1T1G
- Бренд
- ON Semiconductor***
- Вес, г
- 1
- Длина
- 2 mm
- Серия
- MUN5330DW1
- Высота
- 0.9 mm
Цена по запросу
(от 19 ₽)
Минимальный заказ: 10 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения 100mA Complementary 50V NPN & PNP
Технические параметры
| Вес, г | 1 |
| Длина | 2 mm |
| Серия | MUN5330DW1 |
| Высота | 0.9 mm |
| Корпус | SOT-363 |
| Ширина | 1.25 mm |
| Структура | npn |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Тип продукта | BJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased |
| Конфигурация | Dual |
| Подкатегория | Transistors |
| Торговая марка | ON Semiconductor |
| Упаковка / блок | SC-88-6 |
| Категория продукта | Биполярные транзисторы - С предварительно заданным |
| Количество Выводов | 6 Выводов |
| Количество каналов | 2 Channel |
| Монтаж транзистора | Surface Mount |
| Корпус РЧ Транзистора | SOT-363 |
| Полярность транзистора | NPN, PNP |
| Резистор База-эмиттер R2 | 1кОм |
| Pd - рассеивание мощности | 187 mW |
| Резистор На входе Базы R1 | 1кОм |
| Размер фабричной упаковки | 3000 |
| Напряжение Коллектор-Эмиттер | 50В |
| Непрерывный коллекторный ток | 0.1 A |
| Непрерывный Коллекторный Ток Ic | 100мА |
| Соотношение Сопротивления, R1 / R2 | 1соотношение |
| Типичное входное сопротивление | 1 kOhms |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Полярность Цифрового Транзистора | NPN и PNP |
| Пиковый постоянный ток коллектора | 100 mA |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 50 V |
| Типичный коэффициент деления резистора | 1 |
| Стандарты Автомобильной Промышленности | AEC-Q101 |
| Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) | MSL 1-Безлимитный |
| Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс. | 3 at 5 mA at 10 V |
| Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 3 |