MUN5316DW1T1G, Транзистор: NPN / PNP; биполярный; BRT,дополнительная пара; 50В
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8062411064
- Артикул
- MUN5316DW1T1G
- Бренд
- ON Semiconductor***
- Вес, г
- 0.1
- Длина
- 2 mm
- Серия
- MUN5316DW1
- Высота
- 0.9 mm
Цена по запросу
(от 15,68 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения 100mA Complementary 50V NPN & PNP
Технические параметры
| Вес, г | 0.1 |
| Длина | 2 mm |
| Серия | MUN5316DW1 |
| Высота | 0.9 mm |
| Ширина | 1.25 mm |
| Transistor Type | 1 NPN, 1 PNP-Pre-Biased |
| Структура | npn |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Collector Current (Ic) | 100mA |
| Power Dissipation (Pd) | 250mW |
| Тип продукта | BJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased |
| Квалификация | AEC-Q101 |
| Конфигурация | Dual |
| Подкатегория | Transistors |
| Торговая марка | ON Semiconductor |
| Упаковка / блок | SC-88-6 |
| DC Current Gain (hFE@Ic,Vce) | 160@5mA, 10V |
| Категория продукта | Биполярные транзисторы - С предварительно заданным |
| Количество каналов | 2 Channel |
| Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vceo) | 50V |
| Полярность транзистора | NPN, PNP |
| Pd - рассеивание мощности | 187 mW |
| Размер фабричной упаковки | 3000 |
| Непрерывный коллекторный ток | 0.1 A |
| Типичное входное сопротивление | 4.7 kOhms |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Пиковый постоянный ток коллектора | 100 mA |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 50 V |
| Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс. | 160 at 5 mA at 10 V |
| Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 160 |