MUN5313DW1T1G, Транзистор: NPN / PNP, биполярный, BRT, дополнительная пара, 50В
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8052278792
- Артикул
- MUN5313DW1T1G
- Бренд
- ON Semiconductor***
- HTS
- 8541.29.00.95
- Type
- PNP|NPN
- EU RoHS
- Compliant
- Military
- No
Цена по запросу
(от 13 ₽)
Минимальный заказ: 10 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Эта серия цифровыx транзисторов предназначена для замены отдельного устройства и его внешней сети смещения резисторов.
Технические параметры
| HTS | 8541.29.00.95 |
| Type | PNP|NPN |
| EU RoHS | Compliant |
| Military | No |
| Mounting | Surface Mount |
| ECCN (US) | EAR99 |
| Packaging | Tape and Reel |
| Pin Count | 6 |
| Automotive | No |
| Вес, г | 0.02 |
| PCB changed | 6 |
| Part Status | Active |
| Package Type | SOT-363 |
| Корпус | SOT363-6 |
| Configuration | Dual |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package Width | 1.25 |
| Package Height | 0.9 |
| Package Length | 2 |
| Transistor Type | NPN/PNP |
| Supplier Package | SOT-363 |
| Структура | npn |
| Typical Resistor Ratio | 1 |
| Minimum DC Current Gain | 80@5mA@10V |
| Maximum Power Dissipation | 385 mW |
| Number of Elements per Chip | 2 |
| Maximum DC Collector Current | 100 mA |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Typical Input Resistor (kOhm) | 47 |
| Maximum Collector Base Voltage | 50 V |
| Maximum Power Dissipation (mW) | 385 |
| Maximum Collector Emitter Voltage | 50 V |
| Maximum Operating Temperature (°C) | 150 |
| Minimum Operating Temperature (°C) | -55 |
| Maximum Collector-Emitter Voltage (V) | 50 |
| Maximum Continuous DC Collector Current (mA) | 100 |
| Maximum Collector-Emitter Saturation Voltage (V) | 0.25@0.3mA@10mA |