Моя заявка (0)

MUN5313DW1T1G, Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 0.1A 385mW 6-Pin SC-88 T/R

MUN5313DW1T1G, Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 0.1A 385mW 6-Pin SC-88 T/R

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8001121468
Артикул
MUN5313DW1T1G
Бренд
ON Semiconductor***
HTS
8541.29.00.95
Type
PNP|NPN
EU RoHS
Compliant
Military
No
Цена по запросу
(от 8 ₽)
Минимальный заказ: 11905 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Описание Транзистор: NPN / PNP, биполярный, BRT, дополнительная пара, 50В

Технические параметры

HTS8541.29.00.95
TypePNP|NPN
EU RoHSCompliant
MilitaryNo
MountingSurface Mount
ECCN (US)EAR99
PackagingTape and Reel
Pin Count6
AutomotiveNo
Вес, г1
PCB changed6
Part StatusActive
Package TypeSOT-363
КорпусSOT363-6
ConfigurationDual
Mounting TypeSurface Mount
Package Width1.25
Package Height0.9
Package Length2
Transistor TypeNPN/PNP
Supplier PackageSOT-363
Структураnpn
Typical Resistor Ratio1
Minimum DC Current Gain80@5mA@10V
Maximum Power Dissipation385 mW
Number of Elements per Chip2
Maximum DC Collector Current100 mA
Maximum Operating Temperature+150 °C
Typical Input Resistor (kOhm)47
Maximum Collector Base Voltage50 V
Maximum Power Dissipation (mW)385
Maximum Collector Emitter Voltage50 V
Maximum Operating Temperature (°C)150
Minimum Operating Temperature (°C)-55
Maximum Collector-Emitter Voltage (V)50
Maximum Continuous DC Collector Current (mA)100
Maximum Collector-Emitter Saturation Voltage (V)0.25@0.3mA@10mA
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А)0.1

Техническая документация