MUN5235DW1T1G, Транзистор: NPN x2, биполярный, BRT, 50В, 0,1А, 187мВт, SOT363
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8017544596
- Артикул
- MUN5235DW1T1G
- Бренд
- ON Semiconductor***
- Pin Count
- 6
- Вес, г
- 0.1
- Package Type
- SOT-363(SC-88)
- Корпус
- SOT363-6
Цена по запросу
(от 13,71 ₽)
Минимальный заказ: 5 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Описание Транзистор: NPN x2, биполярный, BRT, 50В, 0,1А, 187мВт, SOT363 Характеристики Категория Транзистор Тип биполярный Вид NPN
Технические параметры
| Pin Count | 6 |
| Вес, г | 0.1 |
| Package Type | SOT-363(SC-88) |
| Корпус | SOT363-6 |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Transistor Type | 2 NPN-Pre-Biased |
| Структура | npn |
| Collector Current (Ic) | 100mA |
| Power Dissipation (Pd) | 250mW |
| Typical Input Resistor | 2.2 kΩ |
| Typical Resistor Ratio | 0.047 |
| Transistor Configuration | Isolated |
| Maximum Power Dissipation | 256 mW |
| Transition Frequency (fT) | - |
| Number of Elements per Chip | 2 |
| DC Current Gain (hFE@Ic,Vce) | 80@5mA, 10V |
| Maximum DC Collector Current | 100 mA |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Collector Cut-Off Current (Icbo) | 500nA |
| Maximum Collector Emitter Voltage | 50 V |
| Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vceo) | 50V |
| Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Ib) | 250mV@10mA, 300uA |
| Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) | 0.1 |