MUN5233T1G, Bipolar Pre-Biased / Digital Transistor, Single NPN, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm, 47 kohm
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8381370280
- Артикул
- MUN5233T1G
- Бренд
- ON Semiconductor***
- PPAP
- No
- Type
- NPN
- EU RoHS
- Compliant
- Mounting
- Surface Mount
Цена по запросу
(от 18 ₽)
Минимальный заказ: 5 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Описание Транзистор: NPN, биполярный, BRT, 50В, 0,1А, 310мВт, SOT323 Характеристики Категория Транзистор Тип биполярный Вид NPN
Технические параметры
| PPAP | No |
| Type | NPN |
| EU RoHS | Compliant |
| Mounting | Surface Mount |
| ECCN (US) | EAR99 |
| Packaging | Tape and Reel |
| Pin Count | 3 |
| Automotive | No |
| Lead Shape | Gull-wing |
| Вес, г | 0.02 |
| Длина | 2.1 mm |
| Серия | MUN5233 |
| PCB changed | 3 |
| Part Status | Active |
| Package Type | SC-70 |
| Высота | 0.85 mm |
| Корпус | sot-323 |
| Ширина | 1.24 mm |
| Configuration | Single |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Transistor Type | NPN |
| Supplier Package | SC-70 |
| Структура | npn |
| Standard Package Name | SOT |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Typical Resistor Ratio | 0.1 |
| Minimum DC Current Gain | 80@5mA@10V |
| Тип продукта | BJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased |
| Transistor Configuration | Single |
| Конфигурация | Single |
| Подкатегория | Transistors |
| Maximum Power Dissipation | 310 mW |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Торговая марка | ON Semiconductor |
| Упаковка / блок | SC-70-3 |
| Maximum DC Collector Current | 100 mA |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Minimum DC Current Gain Range | 50 to 120 |
| Typical Input Resistor (kOhm) | 4.7 |
| Maximum Collector Base Voltage | 50 V |
| Maximum Power Dissipation (mW) | 310 |
| Maximum Collector Emitter Voltage | 50 V |
| Maximum Operating Temperature (°C) | 150 |
| Minimum Operating Temperature (°C) | -55 |
| Категория продукта | Биполярные транзисторы - С предварительно заданным |
| Operating Junction Temperature (°C) | -55 to 150 |
| Maximum Collector-Emitter Voltage (V) | 50 |
| Полярность транзистора | NPN |
| Maximum Continuous DC Collector Current (mA) | 100 |
| Pd - рассеивание мощности | 202 mW |
| Maximum Collector-Emitter Saturation Voltage (V) | 0.25@1mA@10mA |
| Размер фабричной упаковки | 3000 |
| Непрерывный коллекторный ток | 100 mA |
| Типичное входное сопротивление | 4.7 kOhms |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Пиковый постоянный ток коллектора | 100 mA |
| Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) | 100 mA |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 50 V |
| Типичный коэффициент деления резистора | 0.1 |
| Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс. | 80 |
| Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 80 |
| Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В | 50 |