MUN5233DW1T1G, Транзистор: NPN x2; биполярный; BRT; 50В; 0,1А; 250мВт; SOT363
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8017549123
- Артикул
- MUN5233DW1T1G
- Бренд
- ON Semiconductor***
- HTS
- 8541.21.00.95
- RoHS
- Details
- Type
- NPN
- Brand
- ON Semiconductor
Цена по запросу
(от 10,94 ₽)
Минимальный заказ: 5 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Цифровые биполярные транзисторы NPN+NPN, 50 В, 0.1 А, 0.25 Вт, 4.7 кОм+47 кОм
Технические параметры
| HTS | 8541.21.00.95 |
| RoHS | Details |
| Type | NPN |
| Brand | ON Semiconductor |
| Width | 1.25 mm |
| Height | 0.9 mm |
| Length | 2 mm |
| Series | MUN5233DW1 |
| EU RoHS | Compliant |
| Military | No |
| Mounting | Surface Mount |
| ECCN (US) | EAR99 |
| Packaging | Tape and Reel |
| Pin Count | 6 |
| Automotive | No |
| Lead Shape | Gull-wing |
| Вес, г | 0.02 |
| PCB changed | 6 |
| Part Status | Active |
| Unit Weight | 0.000265 oz |
| Manufacturer | ON Semiconductor |
| Package Type | SOT-363 |
| Корпус | SC-88/SC70-6/SOT-363 |
| Configuration | Dual |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package Width | 1.25 |
| Mounting Style | SMD/SMT |
| Package / Case | SOT-363-6 |
| Package Height | 0.9 |
| Package Length | 2 |
| Transistor Type | NPN |
| Product Category | Bipolar Transistors-Pre-Biased |
| Supplier Package | SC-88 |
| Power Dissipation | 385мВт |
| Структура | npn |
| Transistor Polarity | NPN |
| Factory Pack Quantity | 3000 |
| Standard Package Name | SC |
| Pd - Power Dissipation | 187 mW |
| Typical Input Resistor | 4.7 kOhms |
| Typical Resistor Ratio | 0.1 |
| DC Current Gain hFE Max | 80 at 5 mA at 10 V |
| DC Current Gain hFE Min | 80hFE |
| Minimum DC Current Gain | 80@5mA@10V |
| Maximum Power Dissipation | 250 mW |
| Peak DC Collector Current | 100 mA |
| Number of Elements per Chip | 2 |
| Continuous Collector Current | 0.1 A |
| Maximum DC Collector Current | 100 mA |
| Maximum Operating Temperature | +150 C |
| Minimum Operating Temperature | -55 C |
| Typical Input Resistor (kOhm) | 4.7 |
| DC Collector/Base Gain hfe Min | 80 at 5 mA at 10 V |
| Maximum Collector Base Voltage | 50 V |
| Maximum Power Dissipation (mW) | 385 |
| Collector Emitter Voltage Max NPN | 50В |
| Maximum Collector Emitter Voltage | 50 V |
| Collector- Emitter Voltage VCEO Max | 50 V |
| Maximum Operating Temperature (°C) | 150 |
| Minimum Operating Temperature (°C) | -55 |
| Количество Выводов | 6 Выводов |
| Монтаж транзистора | Surface Mount |
| Maximum Collector-Emitter Voltage (V) | 50 |
| Корпус РЧ Транзистора | SOT-363 |
| Полярность Транзистора | Двойной NPN |
| Резистор База-эмиттер R2 | 47кОм |
| Maximum Continuous DC Collector Current (mA) | 100 |
| Резистор На входе Базы R1 | 4.7кОм |
| Maximum Collector-Emitter Saturation Voltage (V) | 0.25@1mA@10mA |
| Стиль Корпуса Транзистора | SOT-363 |
| Напряжение Коллектор-Эмиттер | 50В |
| Непрерывный Коллекторный Ток Ic | 100мА |
| Соотношение Сопротивления, R1 / R2 | 0.1соотношение |
| Максимальная Рабочая Температура | 150°C |
| Полярность Цифрового Транзистора | Двойной NPN |
| Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) | 0.1 |
| Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) | MSL 1-Безлимитный |
| Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В | 50 |